二铬氮化镓(Cr2GaN)
- 发布日期: 2026-03-23
- 更新日期: 2026-03-23
产品详请
中文名称:氮化镓
中文别名:一氮化镓
CAS No:25617-97-4
EINECS号:247-129-0
分子式:GaN
沸点:decomposes at >600℃ [KIR78]
折射率:2.70 (27℃)
密度:6.1
外观Powder
用途:第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表,是5G时代的主要材料,其中氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的市场和发展空间最大。 氮化镓作为第三代半导体材料,有更高的禁带宽度,是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系,下游应用包括微波射频器件(通信基站等),电力电子器件(电源..
安全说明:22-24/25